プロフィール

水田尊久

Author:水田尊久
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2000年渡韓、2012年末までサムスンに勤務、約四半世紀のエンジニア生活の後、2013年に韓国で法人を設立し独立。技術コンサルティングを中心に、韓国進出支援、市場調査など、韓国を中心に活動しています。

<韓国:半導体>フラッシュを用いた超微細露光技術

韓国の研究チームが、カメラのフラッシュ技術を応用した超微細露光技術を開発しました。


KAIST(韓国科学技術院)新素材工学科のキム・サンウク教授の研究チームが、これまで実用化が難しかった高分子分子組み立てパターン技術に、新たな光照射工程を加えることによって超微細半導体を作ることが可能な技術を開発しました。

半導体を作るためには、非常に小さなパターンを形成するリソグラフィ技術の開発が必要になります。リソグラフィは、ウェハにパターンを形成するプロセスの一つで、主に光を使ったフォトリソグラフィ工程が使われます。ウェハに貼り付けた感光材料にパターンを転写する工程で、パターンのサイズは、10ナノメートル(1ナノメートル=100万分の1ミリメートル)までの微細化が可能でした。

10ナノメートル以下のサイズでパターンを形成するための方法が、高分子を利用した「分子組み立てパターン」技術で、同じ種類の高分子物質が自発的に集まって整列する特性を利用した新技術です。

しかし、この特性を発現させるためには、200度の熱を長時間加えたり、化学溶剤に露出させるなど、工程が複雑で商用化には困難が伴いました。

研究チームは、強い光を一瞬発光させるカメラのフラッシュの動作原理を利用して、強い光を高分子に加え、高分子が高速でパターン配置するようにしました。高分子に加えられる温度は600度に達しましたが、照射時間が15ミリ秒のため、高分子への損傷はありませんでした。

研究チームは、この技術で大面積の超微細半導体の製作が可能と説明しており、すでに縦横10センチの面積で半導体製造に成功しています。また、実際の半導体生産工程に用いられている30センチの大面積ウェハへの適用も可能で、数年以内に量産工程に適用することができるものと見ています。
(出所:韓国・電子新聞、2017年9月13日付け内容)
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