＜韓国：先端素材＞韓国研究チーム、静電気で動作するグラフェンの電子素子開発
成均館（ソンギュングァン）大学の研究チームが、原子1層の非常に薄い厚さの2次元物質から発生する静電気現象を利用したグラフェンの電流制御ゲート技術を開発しました。
この技術は、摩擦で発生した静電気が、グラフェンを透過して、下部基板に閉じ込められ、ゲートの役割をすることがポイントです。
静電気を利用するため、別途にゲート構造を必要とせず、制御が容易で、一度製作したら修正が不可能だった従来の電子材料とは異なり、静電気の形成、修正、削除を行うことによって、ゲート構造の修正・削除も可能となります。
また、ナノオーダーの微細制御を行うことができ、電流制御の役割をするゲート形成の工程を必要としないため、超高密度集積化が可能で、製造コストと製造時間の大幅削減に期待が集まっています。
（出所：韓国・産業日報、2017年7月8日付け内容）
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