＜韓国：IT＞ウエラブル機器用フラッシュメモリの開発

KAIST（韓国科学技術院）のユ・スンヒョプ教授、イム・ソンガプ教授の共同研究チームが柔軟性に優れたフラッシュメモリを開発しました。

研究チームは、「開始剤を用いた化学気相蒸着法」（iCVD・気体状態の反応物を用いて化学物質が基板上に薄膜を形成する方法）を用いて柔軟で絶縁特性に優れた絶縁膜を製作し、これを用いたフラッシュメモリを開発しました。

既存の高分子絶縁膜を用いたメモリは一定程度の性能を実現するために、最低100V以上の高電圧を必要としますが、研究チームが製作したフラッシュメモリは10V以下の電圧でも10年以上データを保持することができ、2．8％の機械的ひずみにもメモリ性能を維持する事が確認されています。

研究チームが開発したフラッシュメモリは、6マイクロメートル（100万分の1メートル）の厚さのプラスチックフィルム上に製作されており、折りたたみが可能となっています。また、このメモリは印刷用紙の上でも正常に動作する事が確認されています。

ユ教授は「今回の研究で、高い柔軟性と性能を持つフラッシュメモリの可能性が確認され、ウェアラブル電子機器、スマート電子ペーパーの開発に寄与することが期待される」と述べています。

今回の研究成果は「Nature Communications」2017年10月28日オンライン版に掲載されました。
（出所：韓国・聯合ニュース、2017年10月25日付け内容）
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