＜韓国：半導体＞ナノ物質を用いたフォトダイオードの開発

韓国科学技術研究院（KIST）光電材料研究団のパク・ミンチョル、ファン・ドギョン博士と、延世（ヨンセ）大学物理学科のイム・ソンイル教授の共同研究チームが、フラット（シート）構造のナノ物質とライン構造のナノ物質を合わせた「ハイブリッド光ダイオード半導体」を開発しました。シートやライン構造のナノ物質を利用した半導体を「低次元ナノ半導体」と呼びます。

研究チームは、新たな低次元ナノ半導体の開発に、 2セレン化タングステン（Tungsten diselenide）ナノシートと酸化亜鉛ナノワイヤを素材として選択しました。

2セレン化タングステンのナノシートは光をよく検出し、酸化亜鉛ナノワイヤは電子移動度が高いという特徴があります。

この2素材を用いた半導体は、紫外線から近赤外線までの光検出が可能となっています。

研究チームは、この半導体としての性質を利用して、新たに開発した低次元ナノ半導体を光を電気信号に変換するイメージセンサーに実装しました。

今回の研究成果は「Advanced Functional Materials」2017年11月3日号に掲載されました。
（出所：韓国・聯合ニュース、2017年11月15日付け内容）
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