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水田尊久

Author:水田尊久
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2000年渡韓、2012年末までサムスンに勤務、約四半世紀のエンジニア生活の後、2013年に韓国で法人を設立し独立。技術コンサルティングを中心に、韓国進出支援、市場調査など、韓国を中心に活動しています。

<韓国:半導体業界事情>韓国研究チーム、世界で最も薄い酸化物半導体を開発

蔚山科学技術院(UNIST)新素材工学部のイ・ジョンフン教授チームが、原子一層分の厚さ0.2ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)の酸化物半導体を開発しました。


グラフェン上に酸化亜鉛を原子1層レベルの厚さに成長させ作られたこの物質は、従来の酸化物半導体の中で最も薄いのが特徴です。

グラフェンは、バンドギャップ(band gap)が存在しないため、今まで半導体として利用することができませんでした。バンドギャップとは、電子がない領域で、この部分を利用して電流を流したり、止めたりすることができます。しかしグラフェンは、この部分が存在せず、電流が流れるだけで、止めることができませんでした。

この問題を解決するため、電気伝導性が良いグラフェンを基板に使い、バンドギャップがある酸化物を用いて半導体のように電流制御が可能となる物質を目指し、イ・ジョンフン教授チームは、グラフェン上に酸化亜鉛(ZnO)を成長させる方法を選択しました。

酸化亜鉛の生成初期、酸素と亜鉛原子は、グラフェンを成す炭素原子の上に到達し、成長段階で結晶配列の角度を少しずつ変えてグラフェンの上に積み上がった構造になっています。

イ・ジョンフン教授は「今回の研究は、今後様々な二次元物質の上にナノ物質による結晶を成長させる際、初期の結晶成長過程を観察するために活用される」とし、「新たな二次元物質の研究開発は、薄く透明で曲がる未来の電子機器の開発を早める」と述べています。

今回の研究結果は、ナノ分野の国際学術誌「Nano Letters」に公開されました。
(出所:韓国・ニューシス、2017年2月2日付け内容)
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