＜韓国：先端素材＞半導体浮揚技術の開発
韓国の研究チームが、半導体を空中に浮揚させる技術を開発しました。
KAIST材料工学部のイ・ムスンミン研究員の研究チームは、既存のシリコン半導体に代わり注目されている「2次元半導体」を、ナノ構造体を利用して空気中に浮かべる技術を開発しましたた。
2次元半導体は二硫化モリブデンなどの材料で作られた厚さが0.65ナノメートル（1ナノメートルは10億分の1メートル）と、原子1個程度の薄く透明で、光の吸収・放出の効果に優れており柔軟性があります。
2次元半導体はシリコンで作られた既存の半導体の限界を克服する代案として研究されていますが、薄いだけに半導体が構成された基板など周辺物質からの信号や物質の干渉を受けるという問題がありました。
この問題を解決するために研究チームは、酸化ケイ素によって基板上に複数のナノサイズのドーム構造を構成した後、ドームの最頂部を利用して2次元の平らな半導体を支えました。ドーム構造は中空で、内部の90％は空洞になっており、事実上半導体が空中に浮いたような状態とみなす事ができます。
研究チームは、この材料を用いる事によって、電子移動能力を従来の2倍以上、光検出能力は10倍以上向上させることが可能となる事を確認しています。
（出所：韓国・東亜サイエンス、2018年4月24日付け内容）
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