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水田尊久

Author:水田尊久
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2000年渡韓、2012年末までサムスンに勤務、約四半世紀のエンジニア生活の後、2013年に韓国で法人を設立し独立。技術コンサルティングを中心に、韓国進出支援、市場調査など、韓国を中心に活動しています。

<韓国:IT事情>サムスン電子、世界最大容量1テラバイトV NAND型フラッシュメモリ公開

サムスン電子が、世界最大容量1テラバイト(TB)のV NAND型フラッシュメモリを公開しました。


サムスン電子は8日(現地時間)、米国サンタクララコンベンションセンターで開かれた「フラッシュメモリサミット2017」(Flash Memory Summit)で世界最大容量のNAND型フラッシュメモリ「V NAND」と次世代ソリッドステートドライブ(SSD)を初公開しました。

今回のサミットで▲世界最大容量の「1TB V NAND」▲サーバーシステムの集積度向上が可能な「NGSFF SSD」▲既存のSSD性能比を大幅に向上させた「Z-SSD」▲新概念のデータ保存方法を用いた「キーバリュー(Key Value)SSD」などV NANDベースの新技術を公開しました。

1TB V NANDは、データを格納する「3次元セル」の容量を、以前の製品(512Gバイト)の2倍に増やした事が特徴です。

サムスン電子の関係者は、「1テラバイトV NANDは16段積層することによって、一つの単品パッケージとして2TBを構成することができ、SSDの容量を大幅に増やすことができる」と説明しています。

NGSFF SSDは、従来のM.2 SSD(*1)で構成されたシステムと置き換えることで、同じスペースで、容量を4倍まで増やすことができます。サムスン電子は第4四半期からNGSFF SSDの量産に入る予定です。

Z-SSDは最適化された動作回路によって、パフォーマンスを最大化したハイエンドSSDで、リアルタイムビッグデータ分析、高性能サーバー用のキャッシュに最適化された製品です。このZ-SSDは、NVMe SSD(*2)に比べ、読み取り応答速度が7倍高速となった15マイクロ秒で、読み取りと書き込みを繰り返すシステム環境では、最大12倍まで応答速度の改善が可能というのが、サムスン電子の説明です。

Key Value SSDは、別途の変換過程なしにデータを直接保存することが可能で、システムのデータ入出力速度の向上と共に、SSDの寿命も向上させることができます。

(*1)M.2:コンピュータの内蔵拡張カードの接続端子規格。
(*2)NVMe:(Non-Volatile Memory Express)SSD向けに開発された通信インタフェース/プロトコル。
(出所:韓国・ZDNet Korea、2017年8月9日付け内容)
(参考:wikipedia)
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